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　　美(měi)光(guāng)公司(sī)在华销售的(de)产品未通过网络安全(quán)审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络(luò)安全审查办公室依法对美光(guāng)公司在(zài)华(huá)销售产(chǎn)品进行(xíng)了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司(sī)产品存在较严重网络(luò)安全问题隐患，对我国关键信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施(shī)供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室(shì)依法(fǎ)作出(chū)不(bù)予通(tōng)过(guò)网络安全审查的结论。按(àn)照《网络安全(quán)法》等法律法规，我国(guó)内(nèi)关键信息基(jī)础设施(shī)的运营者应(yīng)停止采(cǎi)购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光(guāng)公司(sī)产品进行网络安全审查(chá)，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键信息基础设(shè)施安全，是维护国家(jiā)安全(quán)的必要措施。中国坚定(dìng)推进高水(shuǐ)平对外开放，只要(yào)遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平(píng)台产品服务进入中国(guó)市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中笑颜如花和笑靥如花有什么区别呢，笑靥如花还是笑颜如花(zhōng)国网(wǎng)信网发文称，为(wèi)保(bǎo)障关键信息基础设(shè)施供应链安全，防范产品问题(tí)隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民(mín)共和(hé)国国家安(ān)全法(fǎ)》《中华人民(mín)共和国网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查(chá)办公室按照《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的(de)存(cún)储芯片行业(yè)龙(lóng)头，也是全(quán)球(qiú)存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入(rù)从(cóng)此前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司(sī)披露过美光等国际存储厂商为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告(gào)显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光(guāng)位列江(jiāng)波(bō)龙第一(yī)大存储晶圆供应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大(dà)、第二大和(hé)第三大(dà)供应商采购金(jīn)额(é)占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产(chǎn)业链上下游建(jiàn)立(lì)国内外广泛(fàn)合作。2022年年(ni笑颜如花和笑靥如花有什么区别呢，笑靥如花还是笑颜如花án)报显(xiǎn)示，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确(què)保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应(yīng)优势，公司也与国(guó)内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如(rú)果美(měi)光(guāng)在中国区销(xiāo)售受到(dào)限制，或(huò)将导致下游(yóu)客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等(děng)竞对产品

　　分析(xī)称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫(xīn)的笑颜如花和笑靥如花有什么区别呢，笑靥如花还是笑颜如花上游(yóu)设备厂或从(cóng)中受益。存(cún)储器的(de)生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最(zuì)大(dà)量的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过薄膜(mó)沉积工艺(yì)步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前(qián)前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会(huì)更深(shēn)的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生(shēng)更多(duō)设备(bèi)需求(qiú)。据东京电子披(pī)露(lù)，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入(rù)美(měi)国限制名单(dān)，设备国(guó)产化进程加(jiā)速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提升，以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比较高的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入(rù)增长。

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